7N60GS - описание и поиск аналогов

 

7N60GS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7N60GS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 7N60GS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N60GS даташит

 ..1. Size:540K  chongqing pingwei
 7n60gs 7n60ds.pdf pdf_icon

7N60GS

7N60(G,D)S 7 Amps,600 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFET FEATURE 7A,600V,R =0.58 @V =10V/3.5A DS(ON)MAX GS Low gate charge Low C iss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Integrated ESD protection diode TO-252 TO-251 7N60GS 7N60DS Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwise noted) C Parameter Symbol UNIT 7N60

 9.1. Size:349K  utc
 7n60l-ta3-t 7n60g-ta3-t 7n60l-tf3-t 7n60g-tf3-t 7n60l-tf1-t 7n60g-tf1-t 7n60l-tf2-t 7n60g-tf2-t.pdf pdf_icon

7N60GS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N60 Power MOSFET 7.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applicatio

 9.2. Size:349K  utc
 7n60l-tf3t-t 7n60g-tf3t-t 7n60l-t2q-t 7n60g-t2q-t 7n60l-tq2-t 7n60g-tq2-t 7n60l-tq2-r 7n60g-tq2-r.pdf pdf_icon

7N60GS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N60 Power MOSFET 7.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applicatio

Другие MOSFET... 4N65G , 4N65D , 4N65TF , 50N06B , 50N06H , 50N06D , 5N65GS , 5N70GS , 20N60 , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 , FKBA3004 .

History: RUH3030M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.