Справочник MOSFET. DM8N65C

 

DM8N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DM8N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO262 TO263
 

 Аналог (замена) для DM8N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM8N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6318K  desay
dm8n65c.pdfpdf_icon

DM8N65C

Другие MOSFET... FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , IRFB4115 , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ | ZXMN6A07F

 

 
Back to Top

 


 
.