DM8N65C - описание и поиск аналогов

 

DM8N65C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DM8N65C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO262 TO263

Аналог (замена) для DM8N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM8N65C даташит

 ..1. Size:6318K  desay
dm8n65c.pdfpdf_icon

DM8N65C

Другие MOSFET... FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , P55NF06 , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR .

History: FCMT125N65S3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.