DM8N65C-F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DM8N65C-F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DM8N65C-F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM8N65C-F даташит

 7.1. Size:6318K  desay
 dm8n65c.pdf pdf_icon

DM8N65C-F

Другие IGBT... FKD3006, DM4N65E, DM4N65E-F, DM5N65E, DM5N65E-F, DM7N65C, DM7N65C-F, DM8N65C, IRF9540, DM10N65C, DM10N65C-F, DM10N65C-2, DM12N65C, DM12N65C-F, DM12N65C-2, EMB03N03HR, EMB09N03V