Справочник MOSFET. DM8N65C-F

 

DM8N65C-F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DM8N65C-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DM8N65C-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM8N65C-F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:6318K  desay
dm8n65c.pdfpdf_icon

DM8N65C-F

Другие MOSFET... FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , DM5N65E , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , 2SK3878 , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V .

History: NTJS4151PT1G | NP15P06SLG | WMM10N60C4 | STS8C6H3LL | UT2308 | VBZL120N08 | BUK9K25-40E

 

 
Back to Top

 


 
.