DM12N65C - описание и поиск аналогов

 

DM12N65C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DM12N65C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для DM12N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM12N65C даташит

 ..1. Size:5160K  desay
dm12n65c.pdfpdf_icon

DM12N65C

Другие MOSFET... DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 , IRF9540 , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.