FBM75N68B - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

FBM75N68B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: FBM75N68B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 362 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FBM75N68B