Справочник MOSFET. CS1060K

 

CS1060K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS1060K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для CS1060K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS1060K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  convert
cs10n60f cs10n60p cs1060k.pdfpdf_icon

CS1060K

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS10N60F,CS10N60P,CS1060K600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS10N60F TO-220F CS10

Другие MOSFET... C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 , C2M120W040 , C2M120W080 , C2M120W280 , CS10N60P , MMD60R360PRH , CS10N65F , CS10N65P , CS10N65K , CS10N65FF , CS10N80F , CS10N80P , CS10N80V , CS10N80W .

History: IRL3713L | ALD1103PBL | FDB9403F085 | MS17N03Q8 | NCE65T900D | AS3100 | STQ1NK60ZR

 

 
Back to Top

 


 
.