Справочник MOSFET. CS16N65F

 

CS16N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS16N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS16N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS16N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  convert
cs16n65f cs16n65p cs16n65w.pdfpdf_icon

CS16N65F

nvertCS16N65F,CS16N65P,CS16N65WSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS16N65F TO-220F CS1

 ..2. Size:625K  convert
cs16n65f.pdfpdf_icon

CS16N65F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS16N65F650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS16N65F TO-220F CS16N65FAbsolute Max

 0.1. Size:307K  wuxi china
cs16n65fa9h.pdfpdf_icon

CS16N65F

Silicon N-Channel Power MOSFET RCS16N65F A9H VDSS 650 V General Description ID 16 A CS16N65F A9H, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 70 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.49 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various po

 8.1. Size:426K  crhj
cs16n60 a8h.pdfpdf_icon

CS16N65F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS16N60 A8H VDSS 600 V General Description ID 16 A CS16N60 A8, the silicon N-channel Enhanced PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.41 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

Другие MOSFET... CS13N65P , CS13N65F , CS14N80V , CS15N50F , CS15N50P , CS15N70F , CS16N60F , CS16N60P , IRFB4115 , CS16N65P , CS16N65W , CS18N20BF , CS18N20BP , CS18N20BB , CS18N50F , CS18N50P , CS18N50V .

History: AONR36366 | 2SK3774-01L | 2SK3814 | CS18N50P | FDMA86251 | 2SK3684-01L

 

 
Back to Top

 


 
.