CS18N70F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS18N70F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 233.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS18N70F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS18N70F даташит

 ..1. Size:410K  convert
cs18n70f cs18n70v.pdfpdf_icon

CS18N70F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS18N70F, CS18N70V 700V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS18N70F TO-220F CS18N70F C

 9.1. Size:948K  jilin sino
jcs18n50wh.pdfpdf_icon

CS18N70F

 9.2. Size:1873K  jilin sino
jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdfpdf_icon

CS18N70F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss @Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

 9.3. Size:1269K  jilin sino
jcs18n50we jcs18n50abe.pdfpdf_icon

CS18N70F

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие IGBT... CS16N65W, CS18N20BF, CS18N20BP, CS18N20BB, CS18N50F, CS18N50P, CS18N50V, CS18N50W, IRF1010E, CS18N70V, CS1N70SU, CS1N70SF, CS20N60F, CS20N60P, CS20N60W, CS20N60V, CS20N65F