CS2N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS2N60C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO-126F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS2N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS2N60C даташит

 ..1. Size:470K  convert
cs2n60f cs2n60p cs2n60u cs2n60d cs2n60c.pdfpdf_icon

CS2N60C

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS2N60F,CS2N60P,CS2N60U,CS2N60D,CS2N60C 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS2N60F

 0.1. Size:1813K  jilin sino
jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdfpdf_icon

CS2N60C

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

 0.2. Size:1742K  jilin sino
jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdfpdf_icon

CS2N60C

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

 0.3. Size:924K  jilin sino
jcs2n60vb jcs2n60rb jcs2n60cb jcs2n60fb jcs2n60mb jcs2n60mfb.pdfpdf_icon

CS2N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 4.5 -MAX Qg-TYP 5.9nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие IGBT... CS2N100D, CS2N100LF, CS2N50DF, CS2N50DP, CS2N50DD, CS2N50DU, CS2N60P, CS2N60U, STP80NF70, CS2N65F, CS2N65D, CS2N65U, CS2N70HF, CS2N70HP, CS2N70HU, CS2N70HD, CS2N90F