Справочник MOSFET. CS3N70HD

 

CS3N70HD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS3N70HD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для CS3N70HD

 

 

CS3N70HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  convert
 cs3n70hf cs3n70hp cs3n70hu cs3n70hd.pdf

CS3N70HD CS3N70HD

CS3N70HF, CS3N70HP nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS3N70HU, CS3N70HD700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS3N70H

 8.1. Size:351K  crhj
 cs3n70 a3h-g.pdf

CS3N70HD CS3N70HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS3N70 A3H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.2. Size:351K  wuxi china
 cs3n70a3h-g.pdf

CS3N70HD CS3N70HD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N70 A3H-G General Description VDSS 700 V CS3N70 A3H-G the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 55 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 3.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

 8.3. Size:709K  convert
 cs3n70f cs3n70p cs3n70u cs3n70d.pdf

CS3N70HD CS3N70HD

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS3N70F,CS3N70P,CS3N70U,CS3N70D700V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS3N70F TO-220F

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top