2SK1757. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1757

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK1757

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1757 даташит

 ..1. Size:330K  1
 2sk1756 2sk1757.pdf pdf_icon

2SK1757

 8.1. Size:381K  1
 2sk1758.pdf pdf_icon

2SK1757

 8.2. Size:331K  1
 2sk1752 2sk1753.pdf pdf_icon

2SK1757

 8.3. Size:383K  nec
 2sk1750-z 2sk1751-z.pdf pdf_icon

2SK1757

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1712, 2SK1748, 2SK1749, 2SK1750, 2SK1751, 2SK1752, 2SK1753, 2SK1756, IRF3205, 2SK1758, 2SK1760, 2SK1784, 2SK1785, 2SK1793, 2SK1794, 2SK1795, 2SK1796