CS6N100W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS6N100W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для CS6N100W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS6N100W даташит

 ..1. Size:600K  convert
 cs6n100f cs6n100p cs6n100w.pdf pdf_icon

CS6N100W

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N100F,CS6N100P,CS6N100W 1000V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS6N100F TO-220F CS

 9.1. Size:519K  convert
 cs6n120f cs6n120p cs6n120w.pdf pdf_icon

CS6N100W

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS6N120F,CS6N120P,CS6N120W 1200V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS6N120F TO-220F CS6

Другие IGBT... CS5N70P, CS5N70U, CS5N70D, CS5N80F, CS5N80P, CS5N80B, CS6N100F, CS6N100P, IRF1010E, CS6N120F, CS6N120P, CS6N120W, CS6N65F, CS6N65P, CS6N65U, CS6N65D, CS6N70CF