CS9N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS9N80P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 57 nC
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 162 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
CS9N80P Datasheet (PDF)
..1. Size:652K convert
cs9n80f cs9n80p.pdf
cs9n80f cs9n80p.pdf
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS9N80F, CS9N80P800V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS9N80F TO-220F CS9N80FCS9N8
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
