CS9N90V - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

CS9N90V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: CS9N90V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 84 nC
   trⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для CS9N90V

CS9N90V Datasheet (PDF)

..1. Size:620K convert
cs9n90f cs9n90p cs9n90w cs9n90v.pdf

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS9N90F, CS9N90P,CS9N90W,CS9N90V900V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS9N90F TO-220

8.1. Size:1487K jilin sino
jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

8.2. Size:898K jilin sino
jcs9n90ft.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90FT Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson 1.35 @Vgs=10VQg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

8.3. Size:771K crhj
cs9n90f a9d.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS9N90F A9D General Description VDSS 900 V CS9N90F A9HD the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25) 60 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

8.4. Size:785K crhj
cs9n90 anhd.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS9N90 ANHD General Description VDSS 900 V CS9N90 ANHD, the silicon N-channel Enhanced ID 9 A PD(TC=25) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.95 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various pow

8.5. Size:785K wuxi china
cs9n90anhd.pdf