Справочник MOSFET. CSFR2N60F

 

CSFR2N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSFR2N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR2N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  convert
 csfr2n60f csfr2n60p csfr2n60u csfr2n60d.pdf pdf_icon

CSFR2N60F

CSFR2N60F,CSFR2N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR2N60U,CSFR2N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package In

 9.1. Size:618K  convert
 csfr20n60f.pdf pdf_icon

CSFR2N60F

nvertCSFR20N60FSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package Marki

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BUK7518-55 | FQP3N80C | P5102FM | 2SK685 | SSP2N60A | IRFS251 | IRFS331

 

 
Back to Top

 


 
.