CSFR3N60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSFR3N60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CSFR3N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR3N60P даташит

 ..1. Size:708K  convert
 csfr3n60f csfr3n60p csfr3n60u csfr3n60d.pdf pdf_icon

CSFR3N60P

CSFR3N60F,CSFR3N60P nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR3N60U,CSFR3N60D 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package In

 6.1. Size:709K  convert
 csfr3n60lf csfr3n60lp csfr3n60lu csfr3n60ld.pdf pdf_icon

CSFR3N60P

CSFR3N60LF,CSFR3N60LP nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR3N60LU,CSFR3N60LD 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Packag

Другие IGBT... CSD08N6P5, CSFR12N60F, CSFR20N60F, CSFR2N60F, CSFR2N60P, CSFR2N60U, CSFR2N60D, CSFR3N60F, AO3400, CSFR3N60U, CSFR3N60D, CSFR3N60LF, CSFR3N60LP, CSFR3N60LU, CSFR3N60LD, CSFR4N60F, CSFR4N60P