CSFR6N70D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSFR6N70D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CSFR6N70D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR6N70D даташит

 ..1. Size:713K  convert
 csfr6n70f csfr6n70k csfr6n70u csfr6n70d.pdf pdf_icon

CSFR6N70D

CSFR6N70F,CSFR6N70K nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR6N70U,CSFR6N70D 700V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package In

 8.1. Size:694K  convert
 csfr6n60f csfr6n60k csfr6n60u csfr6n60d.pdf pdf_icon

CSFR6N70D

CSFR6N60F,CSFR6N60K nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR6N60U,CSFR6N60D 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package In

Другие IGBT... CSFR4N60D, CSFR6N60F, CSFR6N60K, CSFR6N60U, CSFR6N60D, CSFR6N70F, CSFR6N70K, CSFR6N70U, IRF4905, CSFR7N60F, CSFR7N60K, CSFR7N60D, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6