CSFR7N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSFR7N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CSFR7N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR7N60D даташит

 ..1. Size:777K  convert
 csfr7n60f csfr7n60k csfr7n60d csfr7n60u.pdf pdf_icon

CSFR7N60D

CSFR7N60F, CSFR7N60K, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR7N60D,CSFR7N60U 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

Другие IGBT... CSFR6N60U, CSFR6N60D, CSFR6N70F, CSFR6N70K, CSFR6N70U, CSFR6N70D, CSFR7N60F, CSFR7N60K, K3569, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6, CSNC04N8P5, CSP08N6P5, CSP10N4P2