CSFR7N60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CSFR7N60D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 97 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 92 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
CSFR7N60D Datasheet (PDF)
..1. Size:777K convert
csfr7n60f csfr7n60k csfr7n60d csfr7n60u.pdf
csfr7n60f csfr7n60k csfr7n60d csfr7n60u.pdf
CSFR7N60F, CSFR7N60K, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR7N60D,CSFR7N60U600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Motor Controls Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: 7N60GS
