Справочник MOSFET. SSH40N15

 

SSH40N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH40N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH40N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH40N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  samsung
ssh40n15 ssh40n20.pdfpdf_icon

SSH40N15

Другие MOSFET... SSH20N50A , SSH22N50A , SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , STP75NF75 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS .

History: SFP9644 | 2SJ532

 

 
Back to Top

 


 
.