Справочник MOSFET. CST30N10D

 

CST30N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CST30N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CST30N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST30N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  convert
 cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf pdf_icon

CST30N10D

CST30N10F,CST30N10U,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST30N10D,CST30N10P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST30N10F TO-220F CST30N10FCST30N10D T

Другие MOSFET... CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , IRF1407 , CST30N10P , CST9N20LF , CST9N20LP , CTB06N005 , CTP06N005 , CTD02N004 , CTD02N007 , CTD02N4P8 .

History: 40N06 | FTK7N65F | HUFA76429P3 | AOB266L | AOC2414 | PZD502CYB | STP10NK70ZFP

 

 
Back to Top

 


 
.