Справочник MOSFET. SSH40N20

 

SSH40N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSH40N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
   Время нарастания (tr): 280 ns
   Выходная емкость (Cd): 770 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SSH40N20

 

 

SSH40N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  samsung
ssh40n15 ssh40n20.pdf

SSH40N20
SSH40N20

Другие MOSFET... SSH25N35 , SSH25N35A , SSH25N40 , SSH25N40A , SSH3N70 , SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , IRF1407 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A .

 

 
Back to Top