CTD04N11P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTD04N11P5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CTD04N11P5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTD04N11P5 даташит

 ..1. Size:606K  convert
 ctd04n11p5.pdf pdf_icon

CTD04N11P5

nvert CTD04N11P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency cir

 8.1. Size:602K  convert
 ctd04n7p5.pdf pdf_icon

CTD04N11P5

nvert CTD04N7P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency circ

 8.2. Size:557K  convert
 ctd04n004.pdf pdf_icon

CTD04N11P5

nvert CTD04N004 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Load Switching Hard switched and high frequence circuits Uninterruptible power suppl

 8.3. Size:579K  convert
 ctd04n5p5.pdf pdf_icon

CTD04N11P5

nvert CTD04N5P5 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTD03N10P5, CTD03N3P3, CTD03N4P3, CTD03N4P6, CTD03N8P5, CTD03P030, CTD03P7P5, CTD04N004, 2N60, CTD04N5P5, CTD04N7P5, CTD06N017, CTD06N030, CTD06N070, CTD06N7P5, CTB06N7P5, CTP06N7P5