CTD04N5P5 - аналоги и даташиты транзистора

 

CTD04N5P5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CTD04N5P5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTD04N5P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  convert
 ctd04n5p5.pdf pdf_icon

CTD04N5P5

nvertCTD04N5P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 8.1. Size:602K  convert
 ctd04n7p5.pdf pdf_icon

CTD04N5P5

nvertCTD04N7P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency circ

 8.2. Size:557K  convert
 ctd04n004.pdf pdf_icon

CTD04N5P5

nvertCTD04N004Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load Switching Hard switched and high frequence circuits Uninterruptible power suppl

 8.3. Size:606K  convert
 ctd04n11p5.pdf pdf_icon

CTD04N5P5

nvertCTD04N11P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency cir

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CTD03N3P3 , CTD03N4P3 , CTD03N4P6 , CTD03N8P5 , CTD03P030 , CTD03P7P5 , CTD04N004 , CTD04N11P5 , K2611 , CTD04N7P5 , CTD06N017 , CTD06N030 , CTD06N070 , CTD06N7P5 , CTB06N7P5 , CTP06N7P5 , CTD10N033 .

History: FQL40N50F | DMN1029UFDB

 

 
Back to Top

 


 
.