CTD04N5P5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CTD04N5P5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 386 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-252
CTD04N5P5 Datasheet (PDF)
ctd04n5p5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD04N5P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and
ctd04n7p5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD04N7P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency circ
ctd04n004.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD04N004Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Load Switching Hard switched and high frequence circuits Uninterruptible power suppl
ctd04n11p5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD04N11P5Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.40V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and high frequency cir
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .