Справочник MOSFET. CTD06N070

 

CTD06N070 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTD06N070
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CTD06N070

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTD06N070 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  convert
ctd06n070.pdfpdf_icon

CTD06N070

nvertCTD06N070Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 7.1. Size:868K  convert
ctd06n017.pdfpdf_icon

CTD06N070

nvertCTD06N017Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 7.2. Size:576K  convert
ctd06n030.pdfpdf_icon

CTD06N070

nvertCTD06N030Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 8.1. Size:823K  convert
ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdfpdf_icon

CTD06N070

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P568V N-Channel Trench MOSFETFEATURESTrench Power DTMOS technologyLow RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking and Package Inf

Другие MOSFET... CTD03P030 , CTD03P7P5 , CTD04N004 , CTD04N11P5 , CTD04N5P5 , CTD04N7P5 , CTD06N017 , CTD06N030 , IRF730 , CTD06N7P5 , CTB06N7P5 , CTP06N7P5 , CTD10N033 , CTD10N100 , CTD10P650 , CTN04N7P5 , CTN04PN035 .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | 7409B | HGN080N10SL | SSM3K116TU | PD696BA

 

 
Back to Top

 


 
.