Справочник MOSFET. CJAA3134K

 

CJAA3134K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJAA3134K
   Маркировка: 34.
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: WBFBP-03E
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAA3134K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1341K  jiangsu
 cjaa3134k.pdf pdf_icon

CJAA3134K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Plastic-Encapsulate MOSFETsCJAA3134K N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX WBFBP-03E m@4.5V38020V450 0.75Am@2.5Vm@1.8V8001.GATE2.SOURCE 3.DRAINFEATURE APPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching N-Channel Swi

 7.1. Size:2815K  jiangsu
 cjaa3139k.pdf pdf_icon

CJAA3134K

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAA3139K P-Channel MOSFETWBFBP-03E ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V520-20V @-2.5V -0.66A70 m0m(TYP)@-1.8V9501.GATE2.SOURCE 3.DRAINFEATUREAPPLICATION Lead Free Product is Acquired Load/ Power Switching Surface Mount Package Interfacing Switching P-Cha

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: APM1110K

 

 
Back to Top

 


 
.