Справочник MOSFET. CJAB60N03

 

CJAB60N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CJAB60N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 61.2 nC

Время нарастания (tr): 44 ns

Выходная емкость (Cd): 409 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для CJAB60N03

 

 

CJAB60N03 Datasheet (PDF)

0.1. cjab60n03.pdf Size:1709K _jiangsu

CJAB60N03
CJAB60N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.33.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB60N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.33.3-8L 4.2m@10V30 V 60A7.3m@4.5VDESCRIPTION The CJAB60N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top