CJAB60N03 - описание и поиск аналогов

 

CJAB60N03 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJAB60N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 61.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 409 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для CJAB60N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB60N03 технические параметры

 ..1. Size:1709K  1
 cjab60n03.pdf pdf_icon

CJAB60N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB60N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 4.2m @10V 30 V 60A 7.3m @4.5V DESCRIPTION The CJAB60N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 ..2. Size:1709K  jiangsu
 cjab60n03.pdf pdf_icon

CJAB60N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB60N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 4.2m @10V 30 V 60A 7.3m @4.5V DESCRIPTION The CJAB60N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

Другие MOSFET... CJAB25N03 , CJAB25N04 , CJAB25P03 , CJAB25SN06 , CJAB35P03 , CJAB40N03 , CJAB40SN10 , CJAB55N03 , 2N7000 , CJAC0410 , CJAC100P03 , CJAC100SN08 , CJAC10H02 , CJAC10TH10 , CJAC110N03 , CJAC110SN10 , CJAC13TH06 .

 

 
Back to Top

 


 
.