CEM2192 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM2192  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM2192

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2192 даташит

 ..1. Size:389K  cet
 cem2192.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2192 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 8A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

 9.1. Size:356K  cet
 cem2133.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2133 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -20V, -10A, RDS(ON) = 18m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 27m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 9.2. Size:407K  cet
 cem2182.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2182 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 20V, 9.3A, RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 24m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead-free plating ; RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 9.3. Size:440K  cet
 cem2187.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2187 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V, -7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJBE5005, CJBM3020, CEC2088E, CEC3172, CED20N02, CEU20N02, CED25N02, CEU25N02, TK10A60D, CEM4052, CEM6056L, CEM9288, CEN2307A, CEN2321A, CEB6086, CEF9060N, CEB93A3