Справочник MOSFET. CEM2192

 

CEM2192 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM2192
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM2192

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2192 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  cet
 cem2192.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2192Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES20V, 8A, RDS(ON) = 24m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 35m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

 9.1. Size:356K  cet
 cem2133.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2133P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-20V, -10A, RDS(ON) = 18m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 27m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =

 9.2. Size:407K  cet
 cem2182.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2182N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES20V, 9.3A, RDS(ON) = 18m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 24m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 9.3. Size:440K  cet
 cem2187.pdf pdf_icon

CEM2192

CEM2187P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -7.6A, RDS(ON) = 22m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 32m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CJBE5005 , CJBM3020 , CEC2088E , CEC3172 , CED20N02 , CEU20N02 , CED25N02 , CEU25N02 , IRFZ24N , CEM4052 , CEM6056L , CEM9288 , CEN2307A , CEN2321A , CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 .

History: 2SK2541 | KO6401-HF | HY029N10P

 

 
Back to Top

 


 
.