SSH60N06 - описание и поиск аналогов

 

SSH60N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH60N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH60N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH60N06 даташит

 7.1. Size:402K  samsung
ssh60n08.pdfpdf_icon

SSH60N06

SSH60N10 PCB 24

Другие MOSFET... SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , AO3401 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS .

History: IRFF9131 | 2SK4078B-ZK | AO3419L | DMN67D8L | RRR040P03TL | 3SK317 | STD2NB60T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.