Справочник MOSFET. CJCD2004

 

CJCD2004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJCD2004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X3-6L-C
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJCD2004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1698K  jiangsu
 cjcd2004.pdf pdf_icon

CJCD2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2004 Dual N-Channel MOSFET IDV(BR)DSS RDS(on)TYP m 7.3@4.5V m 7.6 @4.0V20V10A7.8m@3.8V8.2m@3.1Vm9.0@2.5VDESCRIPTION The CJCD2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

 7.1. Size:1794K  jiangsu
 cjcd2005.pdf pdf_icon

CJCD2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2005 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP m@4.5V9@4.0V m9.58A20V 9.7m@3.8Vm@3.1V10.612.5m@2.5VDESCRIPTION The CJCD2005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This dev

 7.2. Size:1603K  jiangsu
 cjcd2003.pdf pdf_icon

CJCD2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2003 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2 m@4.5V m 6.4 @4.0V18V10Am 6.8 @3.8VV 7.2 m@3.1 8.2 m@2.5VDESCRIPTION The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

 7.3. Size:1507K  jiangsu
 cjcd2007.pdf pdf_icon

CJCD2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2007 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP m12.5 @4.5V m13 @4.0V20V8Am@3.8V 13.5m@3.1V 14.5m 17 @2.5VDESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A | ME75N03

 

 
Back to Top

 


 
.