CJL2301. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CJL2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для CJL2301
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJL2301 даташит
cjl2301.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2301 Dual P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23-6L 90m @-4.5V 125m @-2.5V -20 V -2.3A 200m @-1.8V APPLICATION FEATURE DC/DC converter TrenchFET Power MOSFET Load switch for portable devices Equivalent to Two CJ2301 Equivalent Circuit MARKING
Другие MOSFET... CJK2333 , CJK3400A , CJK3400AH , CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , IRF9640 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 .
History: LSD65R570GT | AP04N60J | AP15T25H-HF | SI1032X | IRFS240B | AP3P9R0J
History: LSD65R570GT | AP04N60J | AP15T25H-HF | SI1032X | IRFS240B | AP3P9R0J
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389

