Справочник MOSFET. SSH6N55

 

SSH6N55 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSH6N55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 150(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SSH6N55

 

 

SSH6N55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  1
 ssh6n55 ssh6n60.pdf

SSH6N55 SSH6N55

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 9.1. Size:946K  samsung
 ssh6n90a.pdf

SSH6N55 SSH6N55

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.2. Size:931K  samsung
 ssh6n80as.pdf

SSH6N55 SSH6N55

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.3. Size:935K  samsung
 ssh6n70a.pdf

SSH6N55 SSH6N55

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.4. Size:272K  semelab
 ssh6n80.pdf

SSH6N55 SSH6N55

Другие MOSFET... SSH4N80AS , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , STP80NF70 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A .

 

 
Back to Top