Справочник MOSFET. SSH6N70

 

SSH6N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH6N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH6N70 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:935K  samsung
 ssh6n70a.pdf pdf_icon

SSH6N70

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:307K  1
 ssh6n55 ssh6n60.pdf pdf_icon

SSH6N70

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 9.2. Size:946K  samsung
 ssh6n90a.pdf pdf_icon

SSH6N70

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.3. Size:931K  samsung
 ssh6n80as.pdf pdf_icon

SSH6N70

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , RFP50N06 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A .

History: FDP5N50 | VN0660N3 | WML16N65SR | SSD40N04-20D | IRFB4212 | R6004END | CHM2108JGP

 

 
Back to Top

 


 
.