DMT4N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMT4N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220
DMT4N65 Datasheet (PDF)
..1. Size:4470K dyelec
dmp4n65 dmd4n65 dmt4n65 dmf4n65 dmk4n65 dmg4n65.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
dmp4n65 dmd4n65 dmt4n65 dmf4n65 dmk4n65 dmg4n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
4N65650V N-Channel Power MOSFET RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .