DMK4N65 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

DMK4N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: DMK4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 100 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для DMK4N65