DMC3021LSDQ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMC3021LSDQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для DMC3021LSDQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMC3021LSDQ даташит
dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Low On-Resistance Device V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 21m @ VGS = 10V 8.5A Q2 30V Low Input/Output Leakage 32m @ VGS = 4.5V 7.2A Complementary Pair MOSFET 39m @ VGS = -10V -7A Q1 -30V Totally Lead-Free & Fully
dmc3021lsd.pdf
DMC3021LSD COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 N-Channel 21m @ 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 32m @ 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 P-Channel 39m @ 10V 53m @ 4.5V Terminals Connecti
dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4 COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 0.6mm Profile Ideal for Low Profile Applications ID max Device V(BR)DSS RDS(ON) max TC = +25 C PCB Footprint of 4mm2 Low Gate Threshold Voltage 21m @ VGS = 10V 14A Q1 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 32m @ VGS = 4.5V 14A Halog
fdmc3020dc.pdf
October 2010 FDMC3020DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 30 V, 40 A, 6.25 m Features General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 6.25 m at VGS = 10 V, ID = 12 A Advancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 9.0 m a
Другие MOSFET... DMK7N65 , DMG7N65 , 2N7002AQ , 2N7002H , BSP75GQ , BSS123WQ , DMC2053UVT , DMC2450UV , 4435 , DMC3730UFL3 , DMC4029SK4 , DMG1013UWQ , DMG2301L , DMG2301LK , DMG2302UK , DMG2302UQ , DMG2305UXQ .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet







