DMC3730UFL3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMC3730UFL3
Маркировка: 730
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.95 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
Тип корпуса: X2-DFN1310-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DMC3730UFL3 Datasheet (PDF)
dmc3730ufl3.pdf

DMC3730UFL3 COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Max Footprint of just 1.3 mm2 Device RDS(ON) Max V(BR)DSS TA = +25C Ultra Low Profile Package 0.35mm Profile 1.1A 460m @ VGS = 4.5V Q1 Low Gate Threshold Voltage 30V N-Channel Fast Switching Speed 560m @ VGS = 2.5V 0.9A Ultra-Small Surface
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SSU1N45 | JCS640VH | APT5012JN | IRFBC20S
History: SSU1N45 | JCS640VH | APT5012JN | IRFBC20S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115