Справочник MOSFET. SSH6N90A

 

SSH6N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH6N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH6N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH6N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  samsung
ssh6n90a.pdfpdf_icon

SSH6N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:307K  1
ssh6n55 ssh6n60.pdfpdf_icon

SSH6N90A

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 9.2. Size:931K  samsung
ssh6n80as.pdfpdf_icon

SSH6N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.3. Size:935K  samsung
ssh6n70a.pdfpdf_icon

SSH6N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , 4N60 , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A .

History: NCEP40P80D | WM10N02M

 

 
Back to Top

 


 
.