Справочник MOSFET. DMN2058U

 

DMN2058U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMN2058U
   Маркировка: 58U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.13 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7.7 nC
   Время нарастания (tr): 4.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 50 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для DMN2058U

 

 

DMN2058U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  diodes
dmn2058u.pdf

DMN2058U
DMN2058U

DMN2058U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) Max ID Max Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 4.6A 35m @ VGS = 10V Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 40m @ VGS = 4.5V 4.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen an

 8.1. Size:168K  diodes
dmn2050l.pdf

DMN2058U
DMN2058U

DMN2050LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 100m

 8.2. Size:231K  diodes
dmn2050lfdb.pdf

DMN2058U
DMN2058U

DMN2050LFDBDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 45m @ VGS = 4.5V 4.5A Low Input/Output Leakage 20V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 55m @ VGS = 2.5V 4.1A Halogen and Antimony Free

 8.3. Size:327K  diodes
dmn2056u.pdf

DMN2058U
DMN2058U

DMN2056U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = 4.5V 4.0A Fast Switching Speed 20V 45m @ VGS = 2.5V 3.7A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 8.4. Size:152K  tysemi
dmn2050l.pdf

DMN2058U
DMN2058U

Product specificationDMN2050LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 100m @VGS = 2.0V Terminal Connections

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top