Справочник MOSFET. DMN6040SVTQ

 

DMN6040SVTQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN6040SVTQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для DMN6040SVTQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN6040SVTQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  diodes
dmn6040svtq.pdfpdf_icon

DMN6040SVTQ

DMN6040SVTQ 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID V(BR)DSS RDS(ON) Max Low Input Capacitance TA = +25C Low On-Resistance 44m @ VGS = 10V 5.0A Fast Switching Speed 60V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 4.3A 60m @ VGS = 4.5V

 4.1. Size:199K  diodes
dmn6040svt.pdfpdf_icon

DMN6040SVTQ

DMN6040SVT60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production ID V(BR)DSS RDS(on) max Low Input Capacitance TA = 25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 44m @ VGS = 10V 5.0A 60V Lead, Halogen, and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1) 60m @ VGS = 4.5V 4.3A

 6.1. Size:243K  diodes
dmn6040ssd.pdfpdf_icon

DMN6040SVTQ

DMN6040SSD 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 40m @ VGS = 10V 5.0A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 60V 4.4A Qualified to AEC

 6.2. Size:469K  diodes
dmn6040ssdq.pdfpdf_icon

DMN6040SVTQ

DMN6040SSDQ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Max Low On-Resistance TA = +25C Fast Switching Speed 40m @ VGS = 10V 5.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 4.4A 55m @ VGS = 4.5V

Другие MOSFET... DMN3032LFDB , DMN3110LCP3 , DMN4031SSDQ , DMN4035L , DMN4060SVT , DMN4800LSSQ , DMN53D0LQ , DMN6040SSDQ , CS150N03A8 , DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW .

History: AOI4130 | TSJ10N10AT | NCE0160AG | HUFA75343S3S | SM2609PSC | 2SK3575-Z

 

 
Back to Top

 


 
.