Справочник MOSFET. DMN62D0U

 

DMN62D0U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN62D0U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN62D0U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  diodes
dmn62d0u.pdfpdf_icon

DMN62D0U

DMN62D0U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2 @ VGS = 4.5V 380mA 60V Fast Switching Speed 340mA 2.5 @ VGS = 2.5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Desc

 7.1. Size:270K  diodes
dmn62d0lfb.pdfpdf_icon

DMN62D0U

DMN62D0LFBN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 100mA Low Input/Output Leakage 60V ESD Protected 2.5 @ VGS = 2.5V 50mA Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qual

 7.2. Size:323K  diodes
dmn62d0lfd.pdfpdf_icon

DMN62D0U

DMN62D0LFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 2 @ VGS = 4V 310mA 60V Low Input/Output Leakage 2.5 @ VGS = 2.5V 295mA ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Haloge

 7.3. Size:216K  diodes
dmn62d0sfd.pdfpdf_icon

DMN62D0U

DMN62D0SFDN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed ESD Protected Gate to 2kV 2 @ VGS = 10V 540mA Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) 60V Green Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standard

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JCS40N25ANT | NVMFS5C628N | 2SK2257-01 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.