DMN63D8L - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN63D8L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN63D8L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMN63D8L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN63D8L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  diodes
 dmn63d8l.pdf pdf_icon

DMN63D8L

DMN63D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 350mA 30V Fast Switching Speed 300mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Descrip

 0.1. Size:167K  diodes
 dmn63d8lv.pdf pdf_icon

DMN63D8L

DMN63D8LVDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 0.2. Size:166K  diodes
 dmn63d8ldw.pdf pdf_icon

DMN63D8L

DMN63D8LDWDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25C Fast Switching Speed 4.2 @ VGS = 4.5V 200mA 30V Small Surface Mount Package 2.8 @ VGS = 10V 260mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

 0.3. Size:455K  diodes
 dmn63d8lw.pdf pdf_icon

DMN63D8L

DMN63D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2.8 @ VGS = 10V 380mA 30V Fast Switching Speed 330mA 3.8 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 1kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN6040SSDQ , DMN6040SVTQ , DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , K2611 , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ .

 

 
Back to Top

 


 
.