Справочник MOSFET. DMN67D8L

 

DMN67D8L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN67D8L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMN67D8L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN67D8L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  diodes
 dmn67d8l.pdf pdf_icon

DMN67D8L

DMN67D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

 0.1. Size:521K  diodes
 dmn67d8lw.pdf pdf_icon

DMN67D8L

DMN67D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 240mA 5.0 @ VGS = 10V Fast Switching Speed 60V 190mA 7.5 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Fr

Другие MOSFET... DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , IRFZ48N , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF , DMP1055USW .

History: MS60P02NE | TPCA8A09-H | SFF240-28 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G | TF68N80 | DMG3413L

 

 
Back to Top

 


 
.