DMN67D8L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN67D8L
Маркировка: 7D8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.57 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.21 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.821 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 4.1 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: SOT23
DMN67D8L Datasheet (PDF)
dmn67d8l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN67D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
dmn67d8lw.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMN67D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 240mA 5.0 @ VGS = 10V Fast Switching Speed 60V 190mA 7.5 @ VGS = 5V Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Fr
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .