DMN7022LFGQ - описание и поиск аналогов

 

DMN7022LFGQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN7022LFGQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: POWERDI3333-8

Аналог (замена) для DMN7022LFGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN7022LFGQ даташит

 ..1. Size:530K  diodes
 dmn7022lfgq.pdf pdf_icon

DMN7022LFGQ

DMN7022LFGQ 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable ID Max BVDSS RDS(ON) Max and Robust End Application TA = +25 C Low RDS(ON) Ensures On-state Losses are Minimized 22m @ VGS = 10V 7.8A 75V Small Form Factor Thermally Efficient Package Enab

 4.1. Size:324K  diodes
 dmn7022lfg.pdf pdf_icon

DMN7022LFGQ

DMN7022LFG 75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25 C 22m @ VGS = 10V 7.8A density end products 75V 28m @ VGS = 4.5V 6.9A Occupies just 33% of the board area oc

Другие MOSFET... DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , DMN67D8LW , 7N60 , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF , DMP1055USW , DMP10H400SE , DMP10H400SEQ .

History: 2SK699 | 3SK224 | 3SK180-5 | 2SK529 | 2SK896 | 2SK679A | 3SK169P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.