DMNH4006SPSQ - аналоги и даташиты транзистора

 

DMNH4006SPSQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMNH4006SPSQ
   Маркировка: NH4006SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 557 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMNH4006SPSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  diodes
 dmnh4006spsq.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ

DMNH4006SPSQ Green40V N-CHANNEL 175C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low

 0.1. Size:527K  1
 dmnh4006spsq-13.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ

DMNH4006SPSQ Green40V N-CHANNEL 175C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low

 5.1. Size:471K  diodes
 dmnh4006sk3.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ

DMNH4006SK3 Green40V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25C Low Input Capacitance 40V 6m @ VGS = 10V 140A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability De

 5.2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmnh4006sk3.pdf pdf_icon

DMNH4006SPSQ

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH4006SK3FEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6.0m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , RU7088R , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF , DMP1055USW , DMP10H400SE , DMP10H400SEQ , DMP10H4D2S .

 

 
Back to Top

 


 
.