Справочник MOSFET. SSH8N55

 

SSH8N55 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH8N55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH8N55

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH8N55 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N55

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy

 9.2. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N55

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.3. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N55

Другие MOSFET... SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , IRLB4132 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A .

History: SI6404DQ | HM40P04K | STD14NM50N | STB30NF10 | NCES120R018T4 | STB85NF55L | CRTM025N03L

 

 
Back to Top

 


 
.