FHA20N65A - описание и поиск аналогов

 

FHA20N65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHA20N65A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FHA20N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA20N65A даташит

 ..1. Size:740K  feihonltd
 fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

 7.1. Size:858K  feihonltd
 fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

 8.1. Size:939K  feihonltd
 fha20n90a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHA20N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 900 V Crss ( 18.3pF) Low Crss (typical 18.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.28 Fast switching Qg-typ 140.5nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impro

 8.2. Size:402K  feihonltd
 fha20n50a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C , FHF20N60A , FHP20N60A , FHA20N60A , FHF20N65A , FHP20N65A , IRFB4115 , FHF2N60A , FHP2N60A , FHU2N60A , FHD2N60A , FHF2N60E , FHP2N60E , FHU2N60E , FHD2N60E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.