Справочник MOSFET. FHA20N65A

 

FHA20N65A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHA20N65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FHA20N65A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA20N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:740K  feihonltd
 fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

 7.1. Size:858K  feihonltd
 fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

 8.1. Size:939K  feihonltd
 fha20n90a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHA20N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 900 V Crss ( 18.3pF) Low Crss (typical 18.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.28 Fast switching Qg-typ 140.5nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impro

 8.2. Size:402K  feihonltd
 fha20n50a.pdf pdf_icon

FHA20N65A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C , FHF20N60A , FHP20N60A , FHA20N60A , FHF20N65A , FHP20N65A , IRFP250N , FHF2N60A , FHP2N60A , FHU2N60A , FHD2N60A , FHF2N60E , FHP2N60E , FHU2N60E , FHD2N60E .

History: MTM13127 | PZD502CYB

 

 
Back to Top

 


 
.