FHP100N07A - описание и поиск аналогов

 

FHP100N07A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHP100N07A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FHP100N07A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP100N07A даташит

 ..1. Size:1909K  feihonltd
 fhp100n07a.pdf pdf_icon

FHP100N07A

6 6 90

 6.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

FHP100N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 6.2. Size:259K  feihonltd
 fhp100n08a.pdf pdf_icon

FHP100N07A

 6.3. Size:757K  feihonltd
 fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf pdf_icon

FHP100N07A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHD2N60E , FHF2N65A , FHP2N65A , FHU2N65A , FHD2N65A , FHF4N90A , FHF8N80B , FHP100N03A , K3569 , FHP100N08A , FHP10N60A , FHF10N60A , FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , FHF10N65B , FHP110N8F5A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.