Справочник MOSFET. FHP10N65A

 

FHP10N65A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP10N65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
   Время нарастания (tr): 69 ns
   Выходная емкость (Cd): 150 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP10N65A

 

 

FHP10N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  feihonltd
fhp10n65a fhf10n65a.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65A/FHF10N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.8 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 29nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATIONHigh efficiency switch mode pow

 6.1. Size:603K  feihonltd
fhp10n65b fhf10n65b.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65B/FHF10N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.75 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 30nC dv/dt

 7.1. Size:668K  feihonltd
fhp10n60a fhf10n60a.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N60A/ FHF10N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.68 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 45nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATION High efficiency switch mode power su

 9.1. Size:767K  feihonltd
fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 9.2. Size:1909K  feihonltd
fhp100n07a.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

6 6 90

 9.3. Size:259K  feihonltd
fhp100n08a.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

 9.4. Size:757K  feihonltd
fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

 9.5. Size:1017K  feihonltd
fhp100n03a.pdf

FHP10N65A
FHP10N65A

N N-CHANNEL MOSFETFHP100N03A 2 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FR2307Z

 

 
Back to Top