Справочник MOSFET. FHP10N65B

 

FHP10N65B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP10N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP10N65B

 

 

FHP10N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  feihonltd
 fhp10n65b fhf10n65b.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65B/FHF10N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.75 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 30nC dv/dt

 6.1. Size:543K  feihonltd
 fhp10n65a fhf10n65a.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65A/FHF10N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.8 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 29nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATIONHigh efficiency switch mode pow

 7.1. Size:668K  feihonltd
 fhp10n60a fhf10n60a.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N60A/ FHF10N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.68 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 45nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATION High efficiency switch mode power su

 9.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 9.2. Size:1909K  feihonltd
 fhp100n07a.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

6 6 90

 9.3. Size:259K  feihonltd
 fhp100n08a.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

 9.4. Size:757K  feihonltd
 fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

 9.5. Size:1017K  feihonltd
 fhp100n03a.pdf

FHP10N65B FHP10N65B

N N-CHANNEL MOSFETFHP100N03A 2 1

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTHD3101F

 

 
Back to Top