Справочник MOSFET. FHF10N65B

 

FHF10N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHF10N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FHF10N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHF10N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  feihonltd
 fhp10n65b fhf10n65b.pdf pdf_icon

FHF10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65B/FHF10N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.75 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 30nC dv/dt

 6.1. Size:543K  feihonltd
 fhp10n65a fhf10n65a.pdf pdf_icon

FHF10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65A/FHF10N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.8 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 29nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATIONHigh efficiency switch mode pow

 7.1. Size:668K  feihonltd
 fhp10n60a fhf10n60a.pdf pdf_icon

FHF10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP10N60A/ FHF10N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.68 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 45nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATION High efficiency switch mode power su

 8.1. Size:928K  feihonltd
 fhf10n80a.pdf pdf_icon

FHF10N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHF10N80A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 10A Low gate charge VDSS 800V Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.72 Fast switching Qg-typ 58nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHP100N03A , FHP100N07A , FHP100N08A , FHP10N60A , FHF10N60A , FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , RFP50N06 , FHP110N8F5A , FHP120N08D , FHP12N60A , FHF12N60A , FHP12N65C , FHF12N65C , FHP130N10A , FHP13N50A .

History: 7N10 | MEM2309S | 2SK1692 | AFN9997 | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.